Intel透露“4nm EUV”工艺进展：每瓦性能提升20% 进展良好

10月底发布的12代酷睿不仅升级了大小核架构，工艺也升级到了intel 7（之前的10nm sf工艺增强版），从这一代开始intel的工艺也会爆发，4年时间要掌握5代工艺，其中下一个工艺是intel 4，官方现在透露它的进展很顺利，芯片测试已经完美通过。

intel 4工艺就是没改名之前的intel 7nm工艺，它可是intel接下来非常重要的工艺节点，会首次引入euv光刻机，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。

现在intel首次透露了这个“4nm euv”工艺的进展，官方放出了48秒的视频，显示该工艺生产的晶圆测试过程，最后的结果就是通过了所有测试，内部的sram、逻辑单元、模拟单元都符合规范，芯片很“健康””。

intel没有公布这个晶圆的具体情况，不过结合之前的信息来看，这个测试的晶圆应该是14代酷睿meteor lake，已经在今年第二季度完成计算单元的流片，现在测试非常合理。

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